部品番号:S27KS0643GABHA020
インターフェイス:xSPI （8）
最高のクロック レート:200 MHz
部品番号:S70KL1282GABHV020
シリーズ:HyperRAM™ KL
メモリタイプ:揮発性
部品番号:S80KS2563GABHB020
記憶 の 組織:32M x 8
サイクルの時間 - 単語,ページ:35ns
部品番号:S70KS1283GABHA023
インターフェイス帯域幅:400 MByte/s
インターフェイス頻度（SDR/DDR） （MHz）:- /200
部品番号:S27KS0642GABHV023
メモリサイズ:4Mbit
テクノロジー:38 nmドラム
部品番号:S27KL0642GABHI033
インターフェイス:HyperBus
深い力（CS# = VCCの= 2.0ボルト、105°C）:12 µA
部品番号:S70KL1282GABHB033
敏感な湿気:そうだ
インターフェイス サポート:1.8V
部品番号:S70KS1282GABHA023
供給電圧（分）:1.7V
実用温度（分）:-40°C （TA）
部品番号:S80KS2562GABHA023
テクノロジー:25 nmドラム
（v）と産業実用温度範囲-:– 40 °Cへの+105 °C
部品番号:S70KS1282GABHV020
最高供給の流れ-:60 mA
アクセス時間:35 ns
部品番号:S70KL1283GABHV020
鉛の球の終わり:N/A
インターフェイス:xSPI （8）
部品番号:S27KS0642GABHB020
記憶 の 組織:8M × 8
インターフェイス帯域幅:400 MByte/s
