部品番号:S70KL1282GABHB020
サイクルの時間 - 単語,ページ:35ns
インターフェイス サポート:1.8 V/3.0ボルト
部品番号:S27KL0642GABHI030
テクノロジー:PSRAM （擬似SRAM）
メモリタイプ:揮発性
部品番号:S80KS2563GABHM023
製品カテゴリー:DRAM
テクノロジー:PSRAM （擬似SRAM）
部分番号:CY7C1441KV33-133AXI
アクセス時間:6.5 ns
電圧 - 供給:3.135V | 3.6V
部品番号:S70KS1283GABHB020
バス信号:11
データ・バス:8ビット
部分番号:MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G
任意読書:25µs
ページ プログラム:300µs （タイプ）
部分番号:MT29F2G01ABAGDWB-IT:G
最高供給の流れ-:35 mA
サイズ:8mm x 6mm
部分番号:MT29F1G08ABAEAWP-IT:E
装置サイズ:1Gb:1024のブロック
ページサイズ x16:1056語 (1024+32語)
部分番号:MT29F2G08ABAGAH4-IT:G
メモリタイプ:不揮発性
メモリサイズ:2Gbit
部分番号:MT29F4G08ABAEAWP-IT:E
電圧-供給（最高）:3.6V
電圧-供給（分）:2.7V
部分番号:MT29F32G08ABAAAWP-ITZ:
tRC/tWC:20ns (MIN)
読まれたページ:35µs （MAX）
最小注文数量:10
パッケージの詳細:標準パッケージ
受渡し時間:3~5 営業日
Japanese
