部品番号:TW015N120C、S1F
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）:18V
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs:158 NC @ 18ボルト
部品番号:TW107N65C、S1F
Qg -ゲート充満:28 NC
Vgs -ゲート源の電圧:-10V、+25V
部品番号:TW027N65C、S1F
製品カテゴリ:MOSFET
チャネルの数:1つのチャネル
部品番号:SCTW100N65G2AG
FETのタイプ:N-Channel
テクノロジー:SiCFET （炭化ケイ素）
部品番号:SCTL90N65G2V
テクノロジー:シック
トランジスター極性:N-Channel
部品番号:SCT30N120H
テクノロジー:SiCFET （炭化ケイ素）
ドライブ電圧:20V
部品番号:SCTWA50N120
Rdsのオン下水管源の抵抗:52のmOhms
Vgs -ゲート源の電圧:-10V、+25V
部品番号:TW060N120C、S1F
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs:46 NC @ 18ボルト
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds:1530 pF @ 800ボルト
部品番号:SCTW70N120G2V
ゲート源の境界の電圧:4.9 V
Qg -ゲート充満:150 NC
部品番号:SCT20N120AG
（最高） @ ID、VgsのRds:239mOhm @ 10A、20V
Vgs （最高）:+25V、-10V
部品番号:SCTW35N65G2VAG
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds:1370 pF @ 400ボルト
実用温度:-55°C | 200°C （TJ）
部品番号:TW083N65C、S1F
製品カテゴリ:MOSFET
Qg -ゲート充満:21 NC
