部品番号:TW140N120C、S1F
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:1.2 kV
様式の取付け:穴を通して
部品番号:SCTH35N65G2V-7AG
チャネル モード:強化
構成:単一
部品番号:SCTH35N65G2V-7
VDSS:650ボルト
ドライブ電圧:18V、20V
部品番号:SCTH40N120G2V-7
実用温度:-55°C | 175°C （TJ）
VgsのTh -ゲート源の境界の電圧:5ボルト
部品番号:SCT10N120AG
最低の実用温度:- 55 C
最高使用可能温度:+ 200 C
部品番号:TW030N120C、S1F
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds:2925 pF @ 800ボルト
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs:82 NC @ 18ボルト
部品番号:TW015N65C、S1F
テクノロジー:SiCFET （炭化ケイ素）
入れられたキャパシタンス:4850pF
部品番号:TW048N65C、S1F
Vgs （（最高） Th） @ ID:5V @ 1.6mA
上昇時間:43 ns
部品番号:SCTW40N120G2VAG
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）:18V
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C:33A （Tc）
部品番号:SCTWA30N120
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:1.2 kV
Rdsのオン下水管源の抵抗:100つのmOhms
部品番号:IMBG65R083M1HXTMA1
技術:シック
様式の取付け:SMD/SMT
部品番号:IMBG65R107M1HXTMA1
シリーズ:CoolSIC™ M1
FETのタイプ:N-Channel
