部品番号:TW048N65C、S1F
Vgs （（最高） Th） @ ID:5V @ 1.6mA
上昇時間:43 ns
部品番号:SCTW40N120G2VAG
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）:18V
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C:33A （Tc）
部品番号:SCTWA30N120
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:1.2 kV
Rdsのオン下水管源の抵抗:100つのmOhms
部品番号:IMBG65R083M1HXTMA1
技術:シック
様式の取付け:SMD/SMT
部品番号:IMBG65R107M1HXTMA1
シリーズ:CoolSIC™ M1
FETのタイプ:N-Channel
部品番号:IMBG65R039M1HXTMA1
RDS (オン) (@ Tj = 25°C):39 mΩ
VDS 最大:650ボルト
部品番号:BSZ100N06LS3GATMA1
QG （タイプ@10V）:34 NC
流出させなさいに源の電圧（Vdss）:60ボルト
部品番号:BSC004NE2LS5ATMA1
パッケージ:SuperSO8 5x6
QG （タイプ@4.5V）:135 NC
部品番号:BSC100N06LS3GATMA1
QG （タイプ@10V）:2600 pF
流出させなさいに源の電圧（Vdss）:200 A
部品番号:IPD35N10S3L26ATMA1
技術:OptiMOS™-T
RthJC （最高）:2.1 K/W
部品番号:BSZ100N03MSGATMA1
チャネル モード:強化
シリーズ:OptiMOS 3M
部品番号:IMW65R048M1HXKSA1
FETのタイプ:N-Channel
プロダクト状態:活動的
