部品番号:SCTW70N120G2V
ゲート源の境界の電圧:4.9 V
Qg -ゲート充満:150 NC
部品番号:SCT20N120AG
（最高） @ ID、VgsのRds:239mOhm @ 10A、20V
Vgs （最高）:+25V、-10V
部品番号:SCTW35N65G2VAG
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds:1370 pF @ 400ボルト
実用温度:-55°C | 200°C （TJ）
部品番号:TW083N65C、S1F
製品カテゴリ:MOSFET
Qg -ゲート充満:21 NC
部品番号:TW140N120C、S1F
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:1.2 kV
様式の取付け:穴を通して
部品番号:SCTH35N65G2V-7AG
チャネル モード:強化
構成:単一
部品番号:SCTH35N65G2V-7
VDSS:650ボルト
ドライブ電圧:18V、20V
部品番号:SCTH40N120G2V-7
実用温度:-55°C | 175°C （TJ）
VgsのTh -ゲート源の境界の電圧:5ボルト
部品番号:SCT10N120AG
最低の実用温度:- 55 C
最高使用可能温度:+ 200 C
部品番号:TW030N120C、S1F
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds:2925 pF @ 800ボルト
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs:82 NC @ 18ボルト
部品番号:TW015N65C、S1F
テクノロジー:SiCFET （炭化ケイ素）
入れられたキャパシタンス:4850pF
部品番号:TW048N65C、S1F
Vgs （（最高） Th） @ ID:5V @ 1.6mA
上昇時間:43 ns
Japanese
