部品番号:FF23MR12W1M1B11BOMA1
タイプの取付け:シャーシマウント
評価される抵抗（TNTC = 25°C）タイプ:5,00 kΩ
部品番号:FS55MR12W1M1HB11NPSA1
技術:炭化ケイ素（SiC）
構成:6 N-Channel （完全な橋）
部品番号:FF6MR12KM1PHOSA1
IDのnom:250A
技術:炭化ケイ素（SiC）
部品番号:FP75R12N3T7BPSA1
VCES:1200V
積み過ぎ操作:175°C
部品番号:FF3MR12KM1HOSA1
流出させなさいに源の電圧（Vdss）:1200V (1.2kV)
実用温度（分）:-40°C （TJ）
部品番号:FP15R12KE3GBPSA1
モジュールの鉛の抵抗:2.5mΩ
保管温度:-40 - 125 °C
部品番号:FP75R12N2T4BPSA1
（最高） @ ID、VgsのRds:2.13mOhm @ 500A、15V
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds:39700pF @ 800V
部品番号:FP75R12N2T7BPSA2
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO:1200V
Collector-Emitterの飽和電圧:1.55 V
部品番号:FS75R12KE3BPSA1
実用温度:-40°C | 150°C （TJ）
タイプの取付け:シャーシマウント
部品番号:FP75R12N2T4BPSA1
製品タイプ:IGBTモジュール
Collector-Emitterの飽和電圧:1.85 V
部品番号:FS150R12N2T7BPSA2
電圧-コレクターのエミッターの故障:1200V
現在-コレクターの締切り:1.2 µA
部品番号:FP100R12N2T7BPSA2
最低の実用温度:- 40 C
最高使用可能温度:+ 175℃
