部品番号:FP50R12KT4B11BPSA1
ICのnom:225 A
ICRM:450 A
部品番号:FF23MR12W1M1PB11BPSA1
IGBTタイプ:堀
構成:2独立した
部品番号:FP25R12KT4B11BPSA1
VCEO:1200V
Pd -電力損失:160 W
部品番号:FF750R17ME7DB11BPSA1
評価される抵抗:5 kΩ
R100の偏差:-5- 5%
部品番号:FF45MR12W1M1B11BOMA1
DCの下水管の流れ:25A
ゲートの境界の電圧（タイプ）:4.5V
部品番号:FF225R17ME7B11BPSA1
IGBTタイプ:トレンチフィールドストップ
構成:半分橋
部品番号:FS100R12N2T7B15BPSA1
構成:完全な橋インバーター
ゲート エミッターの漏出流れ:100 nA
部品番号:FF8MR12W2M1PB11BPSA1
電圧:1200V
抵抗:8 mΩ
部品番号:FP35R12N2T7BPSA2
重量:24g
反復的なピーク下水管の流れ:30A
部品番号:FF11MR12W1M1PB11BPSA1
シリーズ:CoolSiC™+
技術:炭化ケイ素（SiC）
部品番号:FF8MR12W2M1B11BOMA1
IDRM:300a
COSSの蓄積エネルギー:264 µJ
部品番号:FS3L200R10W3S7FB94BPSA1
実行された下水管の流れ:15A
入力:標準
Japanese
