部品番号:FP150R12N3T7B11BPSA1
製品カテゴリ:IGBTモジュール
Vce （） （最高） @ Vge、IC:1.8V @ 15V、150A
部品番号:FP100R12N2T7B11BPSA1
シリーズ:EconoPIM™ 2
IGBTタイプ:トレンチフィールドストップ
部品番号:FF6MR12W2M1B11BOMA1
タイプの取付け:シャーシマウント
実用温度（分）:-40°C （TJ）
部品番号:FS45MR12W1M1B11BOMA1
流出させなさいに源の電圧（Vdss）:1200V (1.2kV)
構成:6 N-Channel （3-Phase橋）
部品番号:DF17MR12W1M1HFB68BPSA1
FETのタイプ:N-Channel
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C:45A （Tj）
部品番号:DF8MR12W1M1HFB67BPSA1
技術:炭化ケイ素（SiC）
流出させなさいに源の電圧（Vdss）:1200V
部品番号:DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
分離テスト電圧:3.2kV
外部インダクタンス モジュール（タイプ）:14nH
部品番号:DF11MR12W1M1PB11BPSA1
シリーズ:EasyPACK™
実用温度（最高）:150°C （TJ）
部品番号:DF23MR12W1M1B11BPSA1
VDSS:1200V
IDのnom:25A
部品番号:FF600R12ME4WB73BPSA1
入れられたキャパシタンス（Cies） @ Vce:37 nF @ 25ボルト
入力:標準
部品番号:FS150R12N2T7B15BPSA1
現在-コレクターの締切り:12 µA
最低の実用温度:- 40 C
部品番号:DF23MR12W1M1PB11BPSA1
技術:炭化ケイ素（SiC）
流出させなさいに源の電圧（Vdss）:1200V (1.2kV)
