部品番号:FP200R12N3T7B11BPSA1
パワー最高:20 MW
最高VCEO:1200V
部品番号:DF11MR12W1M1B11BPSA1
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs:124nC @ 15V
パワー最高:20mW
部品番号:FP150R12N3T7PB11BPSA1
プロダクト状態:活動的
IGBTタイプ:トレンチフィールドストップ
部品番号:FS820R08A6P2
VCEO:750ボルト
最低の実用温度:- 40 C
部品番号:FS950R08A6P2LB
DC 1secの絶縁材:4.2kV
短時間の延長操作の温度:操作Tvj = 175°C
部品番号:FS770R08A6P2LB
構成:6パック
Pd -電力損失:654 W
部品番号:FS200R07A1E3
パワー最高:790 W
IGBTタイプ:トレンチフィールドストップ
部品番号:FS770R08A6P2B
入れられたキャパシタンス（Cies） @ Vce:80 nF @ 50ボルト
実用温度:-40°C | 150°C （TJ）
部品番号:FS400R07A1E3
現在-コレクター（（最高） IC）:500 A
入れられたキャパシタンス（Cies） @ Vce:26000 pF @ 25ボルト
部品番号:FS660R08A6P2FLB
パワー最高:1053のW
現在-コレクターの締切り:1 mA
部品番号:FS05MR12A6MA1B
パッケージ:モジュール
技術:炭化ケイ素（SiC）
部品番号:FS03MR12A6MA1LB
構成:Sixpack
ID:400A
