部分番号:THGBMJG9C8LBAU8
メモリサイズ:512Gbit
メモリインターフェース:eMMC
部分番号:THGBMJG7C2LBAU8
単位重量:6.380 g
動作温度:-40°C~105°C (TA)
部分番号:THGBMJG8C4LBAU8
メモリ形式:フラッシュ
記憶 の 組織:32G X 8
部分番号:THGBMNG5D1LBAIT
マウントタイプ:表面マウント
電圧 - 供給:2.7V~3.6V
部分番号:THGAMVG8T13BAIL
順次読書:400 Mb/s
最高供給電圧-:3.6V
部分番号:IS21ES08GA-JQLI
マウントタイプ:表面マウント
パッケージ:100-LBGA
部分番号:IS21ES08GA-JCLI
マウントスタイル:SMD/SMT
記憶 の 組織:8G X 8
部分番号:THGBMUG7C1LBAIL
供給電圧-分:2.7 V
敏感な湿気:そうだ
部分番号:IS21TF64G-JCLI
メモリタイプ:不揮発性
パッケージ/ケース:153-VFBGA
部分番号:ゲイツ・ゲイツ ゲイツ
製品の状況:アクティブ
製品タイプ:eMMC
部分番号:IS21TF08G-JCLI
動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
構成:TLC
部分番号:THGBMUG8C2LBAIL
最低動作温度:- 25 C
最大動作温度:+ 85C
