部分番号:MT29F4G01ABAFDWB-IT:F
サイズ:8mm x 6mm
メモリインターフェース:SPI
部分番号:MT35XU02GCBA2G12-0SIT
メモリインターフェース:Xccelaバス
マウントタイプ:表面マウント
部分番号:MT29F4G01ABBFDWB-IT:F
任意読書:25µs
連続読み込み:30ns (3V x8のみ)
部分番号:MT29F64G08AFAAAWP-ITZ:
装置サイズ:64Gb:8192のブロック
ブロック サイズ:128ページ(1024K + 56Kバイト)
部分番号:MT35XL02GCBA1G12-0SIT
マウントスタイル:SMD/SMT
インターフェースタイプ:SPI
部分番号:MT29F8G08ABBCAH4-IT:C
最高供給電圧-:1.95 V
動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
部分番号:MT29F8G01ADBFD12-AAT:F
メモリタイプ:6mm x 8mm
動作温度:フラッシュ
部分番号:MT29F4G08ABBFAH4-IT:F
メモリタイプ:不揮発性
動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
部分番号:MT29F8G08ABACAH4-IT:C
記憶 の 組織:1G×8
作動の電圧範囲– VCC:2.7V-3.6V
部分番号:MT29F64G08AECABH1-10ITZ:
時計の周波数:100 MHz
クロック レート:10ns (DDR)
部分番号:MT35XU512ABA2G12-0AAT
メモリインターフェース:Xccelaバス
電圧 - 供給:1.7V | 2V
部分番号:MT29F1G01ABAFDSF-AAT:F
記憶 の 組織:1G X 1
最高供給の流れ-:35 mA