部品番号:S80KS5123GABHI020
メモリサイズ:512 Mbit
最高のクロック周波数:200 MHz
部品番号:S27KS0642GABHM023
テクノロジー:PSRAM （擬似SRAM）
破烈は読むか、または書く:30 mA
部品番号:S70KS1282GABHV023
インターフェイス サポート:1.8 V/3.0ボルト
実用温度（分）:-40°C （TA）
部品番号:S27KS0642GABHB023
テクノロジー:38 nmドラム
DRAM:38 nm
部品番号:S70KL1282GABHB030
包まれた破烈させた長さ:128バイト（64個の時計）
線形破烈:64 MB
部品番号:S80KS2563GABHI023
プログラム:50
SDRは読んだ:50 MHz
部品番号:S80KS5122GABHI020
片端接地の時計（CK）:11のバス信号
テクノロジー:25nmドラム
部品番号:S26HS512TGABHV003
敏感な湿気:そうだ
サイクル時間を書きなさい:1.7ms
部品番号:S26HS01GTGABHV020
記憶力:1Gbit
密度:1024のMBit
部品番号:S27KL0642GABHM023
最高のクロック レート:200 MHz
最高のアクセス時間（tACC）:35 ns
部品番号:S27KS0642GABHM020
テクノロジー:38 nmドラム
データ・バス:8ビット データ・バス
部品番号:S80KS5123GABHV023
インターフェース:xSPIの（8の）インターフェイス
実用温度範囲-産業（i）:– 40 °Cへの+85 °C
