部分番号:MT29F8G08ADAFAH4-AAT:F
記憶 の 組織:1G×8
パッケージ/ケース:VFBGA-63
部分番号:MT29F4G08ABBDAH4-IT:D
メモリタイプ:不揮発性
メモリインターフェース:パラレル
部分番号:MT29F8G08ADADAH4-IT:D
プログラム ページ:200µs （タイプ:1.8V、3.3V）
記憶 の 組織:1G×8
部分番号:MT29F2G16ABAGAWP-AAT:G
マウントスタイル:SMD/SMT
パッケージ/ケース:TSOP-48
部分番号:MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F
供給の流れ（最高）:35 mA
製品タイプ:NAND フラッシュ
部分番号:MT29F2G08ABAGAH4-AAT:G
チップセットの確認:N/A
FBGAコード:NX020
部分番号:MT29F4G01ABAFDWB-IT:F
サイズ:8mm x 6mm
メモリインターフェース:SPI
部分番号:MT35XU02GCBA2G12-0SIT
メモリインターフェース:Xccelaバス
マウントタイプ:表面マウント
部分番号:MT29F4G01ABBFDWB-IT:F
任意読書:25µs
連続読み込み:30ns (3V x8のみ)
部分番号:MT29F64G08AFAAAWP-ITZ:
装置サイズ:64Gb:8192のブロック
ブロック サイズ:128ページ（1024K + 56Kバイト）
部分番号:MT35XL02GCBA1G12-0SIT
マウントスタイル:SMD/SMT
インターフェースタイプ:SPI
部分番号:MT29F8G08ABBCAH4-IT:C
最高供給電圧-:1.95 V
動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
