部品番号:S27KS0642GABHM023
テクノロジー:PSRAM （擬似SRAM）
破烈は読むか、または書く:30 mA
部品番号:S70KS1282GABHV023
インターフェイス サポート:1.8 V/3.0ボルト
実用温度（分）:-40°C （TA）
部品番号:S27KS0642GABHB023
テクノロジー:38 nmドラム
DRAM:38 nm
部品番号:S70KL1282GABHB030
包まれた破烈させた長さ:128バイト（64個の時計）
線形破烈:64 MB
部品番号:S80KS2563GABHI023
プログラム:50
SDRは読んだ:50 MHz
部品番号:S80KS5123GABHV023
インターフェース:xSPIの（8の）インターフェイス
実用温度範囲-産業（i）:– 40 °Cへの+85 °C
部品番号:S70KS1282GABHM023
メモリインターフェース:HyperBus
テクノロジー:擬似SRAM
部品番号:S80KS2563GABHI020
包まれた破烈させた長さ:16バイト
産業プラス:-40°Cへの+105°C
部品番号:S26HS512TGABHI013
破烈させた読み書き消費電流:22mA/25mA
スタンバイ:360 µA
部品番号:S80KS5123GABHB023
データ・バス幅:8ビット
構成:8つのM X 8
部品番号:S27KL0643DPBHB023
シリーズ:HyperRAM™ KL
メモリタイプ:揮発性
部品番号:S70KS1283GABHI020
密度:512MB
供給電圧:1.7V | 2V
