部分番号:MT29F2G08ABAGAWP-AAT:G
電圧 - 供給:2.7V~3.6V
動作温度:-40°C~105°C (TA)
部分番号:MT29F2G16ABAGAWP-AIT:G
消去のブロック:2ms
命令セット:ONFI否定論履積の抜け目がない議定書
部分番号:MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:
時計の周波数:100 MHz
記憶力:256Gbit
部分番号:MT29F2T08EMLEEJ4-R:E
記憶 の 組織:256G X 8
メモリインターフェース:パラレル
部分番号:MT29F2T08EMLEEJ4-T:E
データ・バス幅:8ビット
構成:256 G X 8
部分番号:MT29F4T08EULEEM4-T:E
マウントタイプ:表面マウント
動作温度:0°C ~ 70°C
部分番号:MT25QL02GCBB8E12-0AAT
消去の性能:80KB/sec
小区域:4KB
部分番号:MT29F2G01ABBGD12-AAT:G
メモリサイズ:2Gbit
メモリインターフェース:SPI
部分番号:MT29F1T08EELEEJ4-R:E
テクノロジー:フラッシュ-否定論履積（TLC）
電圧 - 供給:2.6V | 3.6V
部分番号:MT29F512G08EBLEEJ4-T:E
記憶 の 組織:64G X 8
データ・バス幅:8ビット
部分番号:MT29F1T08EELEEJ4-T:E
テクノロジー:フラッシュ-否定論履積（TLC）
構成:128 G X 8
部分番号:MT29F1G01ABBFD12-AAT:F
記憶 の 組織:1G X 1
メモリインターフェース:SPI
Japanese
