部品番号:S28HS01GTGZBHI030
パッケージ:BGA
タイプ:メモリー チップ
部品番号:S70KS1283GABHA020
テクノロジー:38 nmドラム
パッケージ:24ボールFBGA
部品番号:S28HS01GTGZBHV033
最低周期:500
プログラム/消去周期:4KBセクター
部品番号:S70KS1282GABHB033
アドレス空間は成っている:256KBセクター
データ保全:256Mb装置
部品番号:S70KS1283GABHV020
PSRAM:128 Mb
半ページ:16バイト
部品番号:S80KS5122GABHV020
最高供給電圧-:2ボルト
供給電圧-分:1.7 V
部品番号:S80KS5123GABHV020
記憶 の 組織:64M x 8
最高供給の流れ-:44 mA
部品番号:S80KS2562GABHM020
DRAM:256 MB
スタンバイ:105 °C
部品番号:S27KL0643GABHI023
データ・バス:8ビット
クロック レート:200 MHz
部品番号:S26HS512TGABHV010
電圧 - 供給:1.7V | 2V
敏感な湿気:そうだ
部品番号:S26HS512TGABHV013
DDRは読んだ:166MHz
製品の状況:アクティブ
部品番号:S70KS1282GABHB030
テクノロジー:PSRAM （擬似SRAM）
メモリタイプ:揮発性
