部分番号:MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E
構成:128のM X 16
テクノロジー:FLASH - NAND
部分番号:MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E
最高供給の流れ-:35 mA
供給電圧-分:2.7 V
部分番号:MT29F2G08ABAEAWP-IT:E
パッケージ/ケース:48-TFSOP (0.724", 18.40mm 幅)
記憶 の 組織:256M×8
部分番号:MT29F4G08ABBFAH4-AIT:F
プログラム ページ:オン ダイスECCの240µs （タイプ）は可能になった
平面の数:1
部分番号:MT29F2G08ABAGAWP-IT:G
タイミングのタイプ:アシンクロン
電圧-供給（分）:2.7V
部分番号:MT29F4G08ABBFAH4-AAT:F
消去のブロック:2ms （タイプ）
サイズ:9mm × 11mm × 1.0mm
部分番号:MT29F8G08ADAFAWP-AAT:F
記憶 の 組織:1G×8
装置サイズ:8Gb:8,192のブロック
部分番号:MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G
パッケージ/ケース:VFBGA-63
メモリサイズ:2 Gbit
部分番号:MT29F8G08ADAFAWP-AIT:F
構成:1 G X 8
メモリタイプ:不揮発性
部分番号:MT29F4G01ABAFD12-AAT:F
FBGAコード:NW931
操作。臨時雇用者。:-40Cへの+105C
部分番号:MT35XU01GBBA1G12-0SIT
セクターの消去の均一粒度:128kB
小区域の消去:4KB
部分番号:MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F
タイミングのタイプ:アシンクロン
密度:1GB
Japanese
