部分番号:MT29F4G08ABADAWP-AATX:D
最高供給の流れ-:35 mA
データ・バス幅:8ビット
部分番号:MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E
製品タイプ:NAND フラッシュメモリ
構成:256のM X 8
部分番号:MT29F2G16ABBGAH4-AIT:G
タイミングのタイプ:アシンクロン
最高供給電圧-:1.95 V
部分番号:MT29F4G16ABBFAH4-AAT:F
密度:4GB
FBGAコード:NX100
部分番号:MT29F2G08ABBGAH4-AAT:G
幅:幅x8
記憶 の 組織:256M×8
部分番号:MT29F2G16ABBGAH4-AAT:G
サイズ:9mm x 11mm
マウントタイプ:表面マウント
部分番号:MT29F4G08ABAFAWP-AAT:F
シリーズ:MT29F
マウントスタイル:SMD/SMT
部分番号:MT29F256G08CECEBJ4-37ITR:E
データ・バス幅:8ビット
製品カテゴリー:NAND フラッシュ
部分番号:MT29F2G08ABAGAH4-AIT:G
メモリタイプ:不揮発性
メモリ形式:フラッシュ
部分番号:MT25QU512ABB1EW9-0SIT
時計の周波数:133のMHz
サイクルの時間 - 単語,ページ:8ms、2.8ms
部分番号:MT29F1G08ABAFAWP-AAT:F
記憶力:1Gbit
記憶 の 組織:128M x 8
部分番号:MT25QL512ABB8ESF-0SIT
メモリタイプ:不揮発性
メモリ形式:フラッシュ
Japanese
