部分番号:MT29F512G08EBLEEJ4-T:E
記憶 の 組織:64G X 8
データ・バス幅:8ビット
部分番号:MT29F1T08EELEEJ4-T:E
テクノロジー:フラッシュ-否定論履積（TLC）
構成:128 G X 8
部分番号:MT29F1G01ABBFD12-AAT:F
記憶 の 組織:1G X 1
メモリインターフェース:SPI
部分番号:MT29F8T08EWLEEM5-R:E
供給電圧-分:1.7 V
最高供給電圧-:1.95 V
部分番号:MT25QL128ABA1EW7-0SIT
敏感な湿気:はい
メモリ形式:フラッシュ
部分番号:MT35XU02GCBA1G12-0AAT
製品カテゴリー:抜け目がない
メモリサイズ:2 Gbit
部分番号:MT29F8T08EWLEEM5-T:E
構成:1T X 8
インターフェース:パラレル
部分番号:MT25QU02GCBB8E12-0SIT
供給電圧 - Min:1.7V
最高供給電圧-:2ボルト
部分番号:MT25QL512ABB8ESF-0AAT
記憶 の 組織:64M x 8
電圧 - 供給:2.7V~3.6V
部分番号:MT35XU512ABA1G12-0SIT
DDR:200 MHz
密度:512MB
部分番号:MT25QU01GBBB8ESF-0SIT メルチカム
構成:1 G X 1/512のM X 2/256のM X 4
敏感な湿気:はい
部分番号:MT62F768M64D4EK-023重量:C
パッケージ:441ボールTFBGA
サイズ:14.0mm x 14.0mm
Japanese
