部分番号:MT25QL512ABB8ESF-0AAT
記憶 の 組織:64M x 8
電圧 - 供給:2.7V~3.6V
部分番号:MT35XU512ABA1G12-0SIT
DDR:200 MHz
密度:512MB
部分番号:MT25QU01GBBB8ESF-0SIT メルチカム
構成:1 G X 1/512のM X 2/256のM X 4
敏感な湿気:はい
部分番号:MT62F768M64D4EK-023重量:C
パッケージ:441ボールTFBGA
サイズ:14.0mm x 14.0mm
部分番号:MT28EW512ABA1LJS-0SIT
サイクルの時間 - 単語,ページ:60ns
アクセス時間:95 ns
部分番号:MT62F2G64D8CZ-023 FAAT:C
VDD1:1.70-1.95V;1.80Vタイプ
構成:2 G X 64
部分番号:MT25QU01GBBB1EW9-0SIT
消去の性能:80KB/sec
密度:1GB
部分番号:MT62F768M64D4EK-023 FAAT:C
チャネルごとの最高の帯域幅:17.1 GB/s
構成:768のM X 64
部分番号:MT62F768M64D4EK-023 AUT:C
メモリインターフェース:パラレル
最高供給電圧-:1.95 V
部分番号:MT25QU01GBBB8ESF-0AAT
記憶力:1Gbit
構成:128M x 8
部分番号:MT25QU256ABA8ESF-0SIT
インターフェースタイプ:SPI
最高供給電圧-:2ボルト
部分番号:MT60B2G8HB-48B:
記憶 の 組織:2G X 8
メモリ形式:DRAM
Japanese
