部分番号:MT29F4G01ABAFD12-AAT:F
FBGAコード:NW931
操作。臨時雇用者。:-40Cへの+105C
部分番号:MT35XU01GBBA1G12-0SIT
セクターの消去の均一粒度:128kB
小区域の消去:4KB
部分番号:MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F
タイミングのタイプ:アシンクロン
密度:1GB
部分番号:MT29F4G08ABADAWP-AATX:D
最高供給の流れ-:35 mA
データ・バス幅:8ビット
部分番号:MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E
製品タイプ:NAND フラッシュメモリ
構成:256のM X 8
部分番号:MT29F2G16ABBGAH4-AIT:G
タイミングのタイプ:アシンクロン
最高供給電圧-:1.95 V
部分番号:MT29F4G16ABBFAH4-AAT:F
密度:4GB
FBGAコード:NX100
部分番号:MT29F2G08ABBGAH4-AAT:G
幅:幅x8
記憶 の 組織:256M×8
部分番号:MT29F2G16ABBGAH4-AAT:G
サイズ:9mm x 11mm
マウントタイプ:表面マウント
部分番号:MT29F4G08ABAFAWP-AAT:F
シリーズ:MT29F
マウントスタイル:SMD/SMT
部分番号:MT29F256G08CECEBJ4-37ITR:E
データ・バス幅:8ビット
製品カテゴリー:NAND フラッシュ
部分番号:MT29F2G08ABAGAH4-AIT:G
メモリタイプ:不揮発性
メモリ形式:フラッシュ
