部分番号:MT29F8G08ABBCAH4-IT:C
最高供給電圧-:1.95 V
動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
部分番号:MT29F8G01ADBFD12-AAT:F
メモリタイプ:6mm x 8mm
動作温度:フラッシュ
部分番号:MT29F4G08ABBFAH4-IT:F
メモリタイプ:不揮発性
動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
部分番号:MT29F8G08ABACAH4-IT:C
記憶 の 組織:1G×8
作動の電圧範囲– VCC:2.7V-3.6V
部分番号:MT29F64G08AECABH1-10ITZ:
時計の周波数:100 MHz
クロック レート:10ns （DDR）
部分番号:MT35XU512ABA2G12-0AAT
メモリインターフェース:Xccelaバス
電圧 - 供給:1.7V | 2V
部分番号:MT29F1G01ABAFDSF-AAT:F
記憶 の 組織:1G X 1
最高供給の流れ-:35 mA
部分番号:MT29F2G01ABAGD12-AAT:G
チップセットの確認:N/A
密度:2GB
部分番号:MT29F4G16ABBDAH4-IT:D
サイズ:9mm x 11mm
テクノロジー:FLASH - NAND
部分番号:MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E
構成:128のM X 16
テクノロジー:FLASH - NAND
部分番号:MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E
最高供給の流れ-:35 mA
供給電圧-分:2.7 V
部分番号:MT29F2G08ABAEAWP-IT:E
パッケージ/ケース:48-TFSOP (0.724", 18.40mm 幅)
記憶 の 組織:256M×8
Japanese
