部品番号:S80KS2563GABHI023
プログラム:50
SDRは読んだ:50 MHz
部品番号:S80KS5123GABHV023
インターフェース:xSPIの（8の）インターフェイス
実用温度範囲-産業（i）:– 40 °Cへの+85 °C
部品番号:S70KS1282GABHM023
メモリインターフェース:HyperBus
テクノロジー:擬似SRAM
部品番号:S80KS2563GABHI020
包まれた破烈させた長さ:16バイト
産業プラス:-40°Cへの+105°C
部品番号:S26HS512TGABHI013
破烈させた読み書き消費電流:22mA/25mA
スタンバイ:360 µA
部品番号:S80KS5123GABHB023
データ・バス幅:8ビット
構成:8つのM X 8
部品番号:S27KL0643DPBHB023
シリーズ:HyperRAM™ KL
メモリタイプ:揮発性
部品番号:S70KS1283GABHI020
密度:512MB
供給電圧:1.7V | 2V
部品番号:MT25QU512ABB8E12-0AAT
電圧:1.7V | 2V
密度:512MB
部品番号:MT41K256M16TW-107 AUT:P
記憶容量:4Gbit
記憶タイプ:揮発
部品番号:S70KS1283GABHI023
DRAM:25nm
メモリインターフェース:SPI -8入力/出力
部品番号:MT29F1G08ABAFAH4-AAT:F
データ・バス幅:8ビット
記憶インターフェイス:平行
