部分番号:MT25QU01GBBB8ESF-0AAT
記憶力:1Gbit
構成:128M x 8
部分番号:MT25QU256ABA8ESF-0SIT
インターフェースタイプ:SPI
最高供給電圧-:2ボルト
部分番号:MT60B2G8HB-48B:
記憶 の 組織:2G X 8
メモリ形式:DRAM
部分番号:S25FL256LAGNFB010
メモリサイズ:256 Mbit
時計の周波数:133のMHz
部分番号:S25FL256SAGNFI000
メモリタイプ:または
単位重量:11 mg
部分番号:CY14V101QS-BK108XI
メモリ形式:NVSRAM
メモリサイズ:1Mbit
部分番号:S25FL512SDPMFVG10
インターフェースタイプ:SPI
敏感な湿気:はい
部分番号:S25FL512SAGMFMR10
記憶 の 組織:64M x 8
時計の周波数:133のMHz
部品番号:MTFC8GAMALGT-AAT
記憶容量:64 GB
記憶タイプ:不揮発性
部分番号:S25FL064LABMFV010
インターフェイス頻度:108MHz/54MHz
データ・バス幅:8ビット
部分番号:S25FL128LAGNFI010
鉛の球の終わり:無光沢のTin Plating
ピーク退潮の臨時雇用者:260 °C
部品番号:MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E
作動の電圧範囲– VCC:2.7V-3.6V
記憶容量:2Gbit
