部品番号:S80KS5123GABHB023
データ・バス幅:8ビット
構成:8つのM X 8
部品番号:S27KL0643DPBHB023
シリーズ:HyperRAM™ KL
メモリタイプ:揮発性
部品番号:S70KS1283GABHI020
密度:512MB
供給電圧:1.7V | 2V
部品番号:MT25QU512ABB8E12-0AAT
電圧:1.7V | 2V
密度:512MB
部品番号:MT41K256M16TW-107 AUT:P
記憶容量:4Gbit
記憶タイプ:揮発
部品番号:S70KS1283GABHI023
DRAM:25nm
メモリインターフェース:SPI -8入力/出力
部品番号:MT29F1G08ABAFAH4-AAT:F
データ・バス幅:8ビット
記憶インターフェイス:平行
部品番号:MTFC64GAZAQHD-AIT
記憶容量:512 GB
記憶構成:64G X 8
部品番号:MTFC64GAZAQHD-AAT
記憶インターフェイス:eMMC
実用温度:-40°C | 105°C （TA）
部品番号:MTFC64GAZAQHD-WT
記憶容量:512Gbit
記憶構成:64G X 8
部品番号:MTFC64GAZAQHD-IT
記憶インターフェイス:eMMC
クロック周波数:200のMHz
部品番号:MT29F1G16ABBFAH4-AAT:F
技術:フラッシュ-否定論履積（SLC）
パッケージ:63-VFBGA
Japanese
